logo
TOP เป็นผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพในประเทศจีน

เราให้บริการโซลูชั่นครบวงจรจากโมดูลการสื่อสาร, เสาอากาศ, PCB, PCBA และส่วนประกอบทั้งหมดสำหรับ PCB Bom

บ้าน
ผลิตภัณฑ์
เกี่ยวกับเรา
ทัวร์โรงงาน
ควบคุมคุณภาพ
ติดต่อเรา
ขออ้าง
บ้าน ผลิตภัณฑ์

ส่วนประกอบวงจรรวม

จีน TOP Electronic Industry Co., Ltd. รับรอง
จีน TOP Electronic Industry Co., Ltd. รับรอง
ผลิตภัณฑ์ที่ยอดเยี่ยมคุณภาพดีราคาแข่งขันบริการระดับมืออาชีพด้วยความร่วมมือ 10 ปีตอนนี้เรากลายเป็นเพื่อนที่ดีแต่ละอื่น ๆ

—— Ronald - จาก Boilvia

รู้สึกยินดีเป็นอย่างยิ่งที่ได้พบว่า TOP เป็นคู่ค้าของเราในประเทศจีนที่นี่เราจะได้สินค้าที่ดีที่สุดและ serice พวกเขามักจะนำลูกค้ามาตั้งแต่แรก

—— Carlos - จากอาร์เจนตินา

ฉันพอใจมากกับบริการทั้งหมดของคุณ เป็นทีมที่ดีจริงๆ! ด้วยโซลูชันโซลูชันแบบครบวงจรของคุณช่วยให้เราประหยัดเวลาและเงินมากขึ้น

—— Giancarlo - จากอิตาลี

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

ส่วนประกอบวงจรรวม

(565)
จีน TLE2426IDR Precision Virtual Ground Reference IC with ±0.05% Accuracy 1mA Output 1.4V to 40V Wide Input TC ต่ํา (35ppm/°C) และการป้องกันวงจรสั้นสําหรับระบบไฟฟ้าเดียว โรงงาน

TLE2426IDR Precision Virtual Ground Reference IC with ±0.05% Accuracy 1mA Output 1.4V to 40V Wide Input TC ต่ํา (35ppm/°C) และการป้องกันวงจรสั้นสําหรับระบบไฟฟ้าเดียว

TLE2426IDR IC อ้างอิงกราวด์เสมือนความแม่นยำพร้อมความแม่นยำ ±0.05% เอาต์พุต 1mA อินพุตกว้าง 1.4V ถึง 40V TC ต่ำ (35ppm/°C) และการป้องกันไฟฟ้าลัดวงจรสำหรับระบบจ่ายไฟเดี่ยว คุณสมบัติ 1/2 VI กราวด์เสมือนสำหรับระบบอ... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:13:56
จีน TLE2064IDR ออปแอมป์แบบ Quad JFET-Input ความแม่นยำสูง พร้อมแบนด์วิดท์ 10MHz อัตราการหมุน 45V/µs สัญญาณรบกวนต่ำ (16nV/√Hz) แหล่งจ่ายไฟ ±2V ถึง ±20V ป้องกัน EMI และเกรดยานยนต์สำหรับการปรับสภาพสัญญาณความเร็วสูง โรงงาน

TLE2064IDR ออปแอมป์แบบ Quad JFET-Input ความแม่นยำสูง พร้อมแบนด์วิดท์ 10MHz อัตราการหมุน 45V/µs สัญญาณรบกวนต่ำ (16nV/√Hz) แหล่งจ่ายไฟ ±2V ถึง ±20V ป้องกัน EMI และเกรดยานยนต์สำหรับการปรับสภาพสัญญาณความเร็วสูง

TLE2064IDR Precision Quad JFET-Input Op-Amp พร้อมแบนด์วิดท์ 10MHz อัตราการหมุน 45V/μs สัญญาณรบกวนต่ำ (16nV/√Hz) และ±2V ถึง ±20V Supply EMI Hardened & Automotive Grade สำหรับการปรับสภาพสัญญาณความเร็วสูง คุณสมบัต... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:13:56
จีน TL081CDR ออปแอมป์อินพุต JFET ความเร็วสูงพร้อมแบนด์วิดท์ 3MHz อัตราการหมุน 13V/µs สัญญาณรบกวนต่ำ แหล่งจ่ายไฟ ±18V กว้าง อินพุต Z สูง และช่วงอุณหภูมิอุตสาหกรรมสำหรับวงจรอานาล็อกความแม่นยำ โรงงาน

TL081CDR ออปแอมป์อินพุต JFET ความเร็วสูงพร้อมแบนด์วิดท์ 3MHz อัตราการหมุน 13V/µs สัญญาณรบกวนต่ำ แหล่งจ่ายไฟ ±18V กว้าง อินพุต Z สูง และช่วงอุณหภูมิอุตสาหกรรมสำหรับวงจรอานาล็อกความแม่นยำ

TL081CDR ความเร็วสูง JFET-Input Op-Amp กับความกว้างแบนด์ 3MHz 13V / และไมโคร;s Slew Rate เสียงต่ํา และnbsp ลักษณะ และ bull; อัตราการฆ่าสูง: 20V/andmu;s (TL08xH, typ) andbull; ความดันออฟเซตต่ํา: 1mV (TL08xH, typ... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:13:56
จีน SN75451BDR IC ไดรฟ์ปริมณฑลแบบสองแบบ 300mA ไซค์ / แหล่งกระแส 4.5V-36V ระยะความดันความยืดกว้าง TTL / CMOS รองรับการป้องกันความร้อนและความคุ้มกันเสียงสูงสําหรับการควบคุมมอเตอร์ / รีเล่ โรงงาน

SN75451BDR IC ไดรฟ์ปริมณฑลแบบสองแบบ 300mA ไซค์ / แหล่งกระแส 4.5V-36V ระยะความดันความยืดกว้าง TTL / CMOS รองรับการป้องกันความร้อนและความคุ้มกันเสียงสูงสําหรับการควบคุมมอเตอร์ / รีเล่

SN75451BDR IC ไดรฟ์ปริมณฑลแบบสองแบบ 300mA ไซค์ / แหล่งกระแส 4.5V-36V ระยะความแรงกดความแรงกว้าง TTL / CMOS รองรับการป้องกันความร้อนและความคุ้มกันเสียงสูงสําหรับการควบคุมมอเตอร์ / รีเล่ และnbsp ลักษณะ andbull; มี... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:13:56
จีน SN74LVC2G04DCKR เกตอินเวอร์เตอร์คู่ พร้อมแรงดันไฟฟ้ากว้าง 1.65V ถึง 5.5V ไดรฟ์เอาต์พุต 32mA พลังงานต่ำพิเศษ ความเร็ว 3.4ns แพ็คเกจ Tiny SC-70 และการป้องกัน ESD สำหรับการออกแบบที่จำกัดพื้นที่ โรงงาน

SN74LVC2G04DCKR เกตอินเวอร์เตอร์คู่ พร้อมแรงดันไฟฟ้ากว้าง 1.65V ถึง 5.5V ไดรฟ์เอาต์พุต 32mA พลังงานต่ำพิเศษ ความเร็ว 3.4ns แพ็คเกจ Tiny SC-70 และการป้องกัน ESD สำหรับการออกแบบที่จำกัดพื้นที่

SN74LVC2G04DCKR เกตอินเวอร์เตอร์คู่พร้อมแรงดันไฟฟ้ากว้าง 1.65V ถึง 5.5V ไดรฟ์เอาต์พุต 32mA พลังงานต่ำพิเศษ ความเร็ว 3.4ns แพ็คเกจ Tiny SC-70 และamp; การป้องกัน ESD สำหรับการออกแบบที่จำกัดพื้นที่ และnbsp; คุณสมบ... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:13:56
จีน PIC32MX250F256H-I/PT MCU 32 บิตที่มีประสิทธิภาพสูง พร้อม 256KB แฟลช 64KB แรม 50MHz ความเร็ว USB OTG พลังงานต่ําและอุปกรณ์ล้อมแข็งแรงสําหรับการออกแบบที่ฝัง โรงงาน

PIC32MX250F256H-I/PT MCU 32 บิตที่มีประสิทธิภาพสูง พร้อม 256KB แฟลช 64KB แรม 50MHz ความเร็ว USB OTG พลังงานต่ําและอุปกรณ์ล้อมแข็งแรงสําหรับการออกแบบที่ฝัง

PIC32MX250F256H-I/PT ไมโครคอนโทรลเลอร์ 32 บิตประสิทธิภาพสูง พร้อมหน่วยความจำแฟลช 256KB RAM 64KB ความเร็ว 50MHz USB OTG พลังงานต่ำ และอุปกรณ์ต่อพ่วงที่แข็งแกร่งสำหรับการออกแบบฝังตัว และnbsp; คุณสมบัติ และbull; อ... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:13:56
จีน OPA2170AIDR ความแม่นยําความดังต่ํา RRIO 36V Op-Amp ด้วยออฟสเต็ตต่ํา ความกว้างแบนด์บริดด์ต่ําและกระแสคลื่นเงียบต่ําสําหรับการใช้งานอุตสาหกรรม โรงงาน

OPA2170AIDR ความแม่นยําความดังต่ํา RRIO 36V Op-Amp ด้วยออฟสเต็ตต่ํา ความกว้างแบนด์บริดด์ต่ําและกระแสคลื่นเงียบต่ําสําหรับการใช้งานอุตสาหกรรม

OPA2170AIDR ออปแอมป์ RRIO ความแม่นยำต่ำสัญญาณรบกวน 36V พร้อมออฟเซ็ตต่ำ ดริฟท์ต่ำ แบนด์วิดท์กว้าง และกระแสไฟนิ่งต่ำ สำหรับแอปพลิเคชันอุตสาหกรรม และnbsp; คุณสมบัติและnbsp; และbull; ช่วงจ่ายไฟ: 2.7 V ถึง 36 V, แล... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:13:55
จีน OPA340NA ออปแอมป์ CMOS แบบจ่ายไฟเดี่ยว พร้อม BW 5.5MHz อัตราการหมุน 2V/µs I/O แบบ Rail-to-Rail กระแสไฟนิ่ง 750µA การทำงาน 2.7-5.5V แพ็คเกจ SOT23-5 สำหรับแอปพลิเคชันแบบพกพาและใช้แบตเตอรี่ โรงงาน

OPA340NA ออปแอมป์ CMOS แบบจ่ายไฟเดี่ยว พร้อม BW 5.5MHz อัตราการหมุน 2V/µs I/O แบบ Rail-to-Rail กระแสไฟนิ่ง 750µA การทำงาน 2.7-5.5V แพ็คเกจ SOT23-5 สำหรับแอปพลิเคชันแบบพกพาและใช้แบตเตอรี่

OPA340NA ออปแอมป์ CMOS แบบจ่ายไฟเดี่ยว พร้อม BW 5.5MHz อัตราการหมุน 2V/μs Rail-to-Rail I/O กินกระแสไฟ 750μA การทำงาน 2.7-5.5V แพ็คเกจ SOT23-5 สำหรับแอปพลิเคชันแบบพกพาและใช้แบตเตอรี่ คุณสมบัติ อินพุต Rail-to... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:13:55
จีน OPA140AIDR ออปแอมป์ JFET ความแม่นยำสูง พร้อมแบนด์วิดท์ 11MHz อัตราการหมุน 20V/µs สัญญาณรบกวนต่ำ (7nV/√Hz) กระแสไฟนิ่ง 1.1mA แหล่งจ่ายไฟ ±2.25V ถึง ±18V แพ็คเกจ SOIC-8 โรงงาน

OPA140AIDR ออปแอมป์ JFET ความแม่นยำสูง พร้อมแบนด์วิดท์ 11MHz อัตราการหมุน 20V/µs สัญญาณรบกวนต่ำ (7nV/√Hz) กระแสไฟนิ่ง 1.1mA แหล่งจ่ายไฟ ±2.25V ถึง ±18V แพ็คเกจ SOIC-8

OPA140AIDR Precision JFET Op-Amp กับความกว้างแบนด์ 11MHz 20V/andmicro;s Slew Rate เสียงต่ํา (7nV/andradic;Hz) 1.1mA ปัจจุบันเงียบและมากกว่าmn2.25V ถึงและมากกว่า 18V จําหน่าย SOIC-8 แพ็คเกจ และnbsp ลักษณะ ... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:13:55
จีน NE5532DR2G ออปแอมป์คู่ประสิทธิภาพสูง สัญญาณรบกวนต่ำ (5nV/√Hz) แบนด์วิดท์กว้าง (10MHz) อัตราการหมุนสูง (9V/µs) แหล่งจ่ายไฟ ±2V ถึง ±20V SOIC-8 เหมาะสำหรับเสียงและเสียงระดับมืออาชีพ โรงงาน

NE5532DR2G ออปแอมป์คู่ประสิทธิภาพสูง สัญญาณรบกวนต่ำ (5nV/√Hz) แบนด์วิดท์กว้าง (10MHz) อัตราการหมุนสูง (9V/µs) แหล่งจ่ายไฟ ±2V ถึง ±20V SOIC-8 เหมาะสำหรับเสียงและเสียงระดับมืออาชีพ

NE5532DR2G Dual Op-Amp ประสิทธิภาพสูง สัญญาณรบกวนต่ำ (5nV/√Hz) แบนด์วิดท์กว้าง (10MHz) อัตราการหมุนสูง (9V/µs) ±2V ถึง ±20V Supply SOIC-8 เหมาะสำหรับ Audio & Pro Audio คุณสมบัติ • แบนด์วิดท์สัญญาณขนาดเล็ก: 10 ... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:13:55
Page 32 of 57|< 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 >|