ส่วนประกอบวงจรรวม

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

โมดูล 4G 5G (37)

โมดูลการสื่อสารไร้สาย (38)

โมดูลรับสัญญาณ GPS (11)

โมดูลพลังงานบูรณาการ (4)

โมดูลพลังงาน IGBT (24)

ส่วนประกอบวงจรรวม (523)

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์แบบพาสซีฟ (80)

เสาอากาศ GPS รับสัญญาณสูง (14)

เสาอากาศสื่อสารไร้สาย (30)

Combo Antenna (14)

แอนเทนนาความถี่ต่ํา (5)

เสาอากาศทีวีดิจิตอล (7)

สายโคแอกเชียล RF (9)

ตัวเชื่อมต่อ RF Coaxial (10)

บริการประกอบวงจร PCB (5)

ขั้วต่อเทอร์มินัลบล็อก (16)

ผลิตภัณฑ์ที่ดีที่สุด

DS9093A วงจรรวมชิ้นส่วน MAXIM I BUTTON DS1990A-F5 Holder

NXP MCU ARM Flash 32KB วงจรรวมสำหรับอุตสาหกรรม

จีน TOP Electronic Industry Co., Ltd. รับรอง

ผลิตภัณฑ์ที่ยอดเยี่ยมคุณภาพดีราคาแข่งขันบริการระดับมืออาชีพด้วยความร่วมมือ 10 ปีตอนนี้เรากลายเป็นเพื่อนที่ดีแต่ละอื่น ๆ

—— Ronald - จาก Boilvia

รู้สึกยินดีเป็นอย่างยิ่งที่ได้พบว่า TOP เป็นคู่ค้าของเราในประเทศจีนที่นี่เราจะได้สินค้าที่ดีที่สุดและ serice พวกเขามักจะนำลูกค้ามาตั้งแต่แรก

—— Carlos - จากอาร์เจนตินา

ฉันพอใจมากกับบริการทั้งหมดของคุณ เป็นทีมที่ดีจริงๆ! ด้วยโซลูชันโซลูชันแบบครบวงจรของคุณช่วยให้เราประหยัดเวลาและเงินมากขึ้น

—— Giancarlo - จากอิตาลี

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

LM3410YSD/NOPB ตัวแปลง Buck 1.6MHz รับแรงดันไฟ 2.7-5.5V จ่ายไฟ 750mA ประสิทธิภาพ 92% แพ็คเกจ SOT-23-5 สวิตช์ภายใน 1μA ปิดเครื่อง -40°C ถึง +125°C สำหรับอุปกรณ์พกพา

SL02-GS08 80V Phototransistor Optocoupler 50mA Collector Current High CTR 4-Pin SOP 5000% VISO -55°C to +110°C Halogen-Free Signal Isolation Solution

MMBT5551LT1G High Voltage NPN Transistor 160V VCEO, 300mA IC Low Saturation Voltage SOT-23 Package Halogen-Free Green Material Ideal for Amplification and Switching Circuits

BZT52C36S 36V 300mW Zener Diode with ±5% Tolerance SOD-323 Package Low Leakage 5mA Test Current Halogen-Free AEC-Q101 Qualified Tape and Reel Packaging

BZT52C3V0-7-F 3.0V 300mW Zener Diode with ±5% Tolerance SOD-123 Package Low Leakage 5mA Test Current Halogen-Free AEC-Q101 Qualified Tape and Reel Packaging

ส่วนประกอบวงจรรวม

(523)

AON7405 30V N-Channel MOSFET 9.5mΩ Rds ((on) 60A ต่อเนื่อง DFN5x6-8L -55°C ถึง +175°C AEC-Q101 มีคุณสมบัติ
ติดต่อ

AON7405 30V N-Channel MOSFET 9.5mΩ Rds ((on) 60A ต่อเนื่อง DFN5x6-8L -55°C ถึง +175°C AEC-Q101 มีคุณสมบัติ ลักษณะ การเปลี่ยนพลังงานประสิทธิภาพสูง ความดันจากแหล่งระบายน้ํา 30V: เหมาะสําหรับระบบ 12V/24V (เช่น เคร... อ่านเพิ่มเติม

2025-08-15 17:53:18

ADN8834ACPZ-R7 3A TEC Controller ±2.5°C ความมั่นคง 2.7-5.5V แหล่งไฟฟ้า I2C อินเตอร์เฟซ LFCSP-32 -40°C ถึง +85°C
ติดต่อ

ADN8834ACPZ-R7 3A TEC Controller ±2.5°C ความมั่นคง 2.7-5.5V แหล่งไฟฟ้า I2C อินเตอร์เฟซ LFCSP-32 -40°C ถึง +85°C ลักษณะ ✅ การสร้างสถาปัตยกรรมอินดูคเตอร์เดี่ยวที่มีประสิทธิภาพสูง ✅ MOSFETs RDSON ต่ําที่บูรณาการสํ... อ่านเพิ่มเติม

2025-08-15 17:53:16

ADM7172ACPZ-R7 6.5V 2A เสียงเสียงต่ําสุด LDO 1μV RMS เสียงเสียง 75dB PSRR @ 1MHz 2.3-6.5V ทางเข้า LFCSP-8 -40°C ถึง +125°C
ติดต่อ

ADM7172ACPZ-R7 6.5V 2A เสียงเสียงต่ําสุด LDO 1μV RMS เสียงเสียง 75dB PSRR @ 1MHz 2.3-6.5V ทางเข้า LFCSP-8 -40°C ถึง +125°C ลักษณะ ระยะความกระชับกําลังเข้า: 2.3V ถึง 6.5V กระแสแรงฝนสูงสุด: 2 A เสียงเสียงต่ํา: 5 ... อ่านเพิ่มเติม

2025-08-15 17:53:14

TMS320C6747DZKBA3 DSP แบบ Dual-Core 456MHz 3648MBPS 32KB L1 Cache 256KB RAM BGA-256 -40°C ถึง +100°C Industrial DSP
ติดต่อ

TMS320C6747DZKBA3 456MHz Dual-Core DSP 3648MBPS 32KB L1 Cache 256KB RAM BGA-256 -40anddeg;C ถึง +100anddeg;C Industrial DSP andnbsp; คุณสมบัติ andnbsp; andbull; การสนับสนุนซอฟต์แวร์ andndash; TI DSP/BIOSandtrad... อ่านเพิ่มเติม

2025-08-15 17:53:12

TMS320F28035PAGT 60MHz C2000 MCU 128KB แฟลช 12 บิต ADC 16 PWM TQFP-64 -40 °C ถึง +105 °C
ติดต่อ

TMS320F28035PAGT ลักษณะ • CPU 32 บิตที่มีประสิทธิภาพสูง (TMS320C28x)67ns cycle time)– 16 × 16 and 32 × 32 MAC operations– 16 × 16 dual MAC– Harvard bus architecture– Atomic operations– Fast interrupt response ... อ่านเพิ่มเติม

2025-08-15 17:53:10

TNY275PN 10W ออฟไลน์สวิตชิ่ง 85-265VAC 700V MOSFET 132kHz DIP-8 -40°C ถึง +150°C
ติดต่อ

TNY275PN andnbsp; คุณสมบัติเพื่อความปลอดภัยและความน่าเชื่อถือที่เพิ่มขึ้น andbull; การป้องกันการปิดระบบด้วยความร้อนแบบฮิสเทอรีซิสที่แม่นยำพร้อมการกู้คืนอัตโนมัติช่วยลดความจำเป็นในการรีเซ็ตด้วยตนเอง andbull; การ... อ่านเพิ่มเติม

2025-08-15 17:53:08

IRFHM9331TRPBF 30V DUAL N+P MOSFET 5.3A/3.7A 0.045Ω/0.075Ω RDS (ON) DFN-10 175 ° C AEC-Q101
ติดต่อ

IRFHM9331TRPBF ลักษณะ / ประโยชน์ ความต้านทานความร้อนต่ําต่อ PCB (< 6.0 °C / W) / ทําให้การระบายความร้อนที่ดีขึ้น สอดคล้องกับเทคนิคการติดตั้งพื้นที่ที่มีอยู่ / การผลิตที่ง่ายขึ้น สอดคล้องกับ RoHS ไม่รวมหมึก ไม่ม... อ่านเพิ่มเติม

2025-08-15 17:53:05

IRF4905PBF -55V P-Channel MOSFET 74A ปัจจุบัน 0.02Ω Rds ((on) TO-220AB 175°C ปริมาตรสูงสุด
ติดต่อ

IRF4905PBF ลักษณะ เทคโนโลยีกระบวนการที่ก้าวหน้า ความต้านทานต่ําสุด หมวดยนต์ dv/dt อุณหภูมิการทํางาน 175°C การเปลี่ยนเร็ว ช่อง P มีเกณฑ์ระดับหินสับสน ไม่นํา คําอธิบาย HEXFETs รุ่นที่ห้าจาก International ... อ่านเพิ่มเติม

2025-08-15 17:53:03

INA826AIDGKR เครื่องขยายสัญญาณเครื่องมือวัดความแม่นยำพร้อมสัญญาณรบกวนต่ำ เอาต์พุต Rail-to-Rail ช่วงแรงดันไฟฟ้ากว้าง พลังงานต่ำ CMRR สูง และแพ็คเกจ MSOP-8 ขนาดเล็ก
ติดต่อ

INA826AIDGKR เครื่องขยายสัญญาณเครื่องมือวัดความแม่นยำพร้อมเอาต์พุต Rail-to-Rail สัญญาณรบกวนต่ำ ช่วงการจ่ายไฟกว้าง พลังงานต่ำ CMRR สูง และแพ็คเกจ MSOP-8 ขนาดเล็ก andnbsp; คุณสมบัติ andbull; ช่วงโหมดทั่วไปของอินพ... อ่านเพิ่มเติม

2025-08-08 11:30:46

HMC849ALP4CE สวิตช์ SPDT ความเร็วสูง 24 Gbps พร้อมการสูญเสียการแทรกต่ำ การทำงาน 3.3V/5V แบนด์วิดท์กว้าง การแยกสูง การสลับที่รวดเร็ว and การป้องกัน ESD
ติดต่อ

HMC849ALP4CE 24 Gbps สวิตช์ SPDT ความเร็วสูง มีการสูญเสียการใส่ต่ํา 3.3V / 5V การทํางาน ความกว้างของแบนด์วิด ความโดดเดี่ยวสูง การสวิตช์เร็วและการป้องกัน ESD ลักษณะ การแยกกันสูง: สูงสุด 60 dB การควบคุมบวกเดียว: ... อ่านเพิ่มเติม

2025-08-08 11:30:46

Page 30 of 53|< << 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 >> >|