logo
TOP เป็นผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพในประเทศจีน

เราให้บริการโซลูชั่นครบวงจรจากโมดูลการสื่อสาร, เสาอากาศ, PCB, PCBA และส่วนประกอบทั้งหมดสำหรับ PCB Bom

บ้าน
ผลิตภัณฑ์
เกี่ยวกับเรา
ทัวร์โรงงาน
ควบคุมคุณภาพ
ติดต่อเรา
ขออ้าง
บ้าน ผลิตภัณฑ์

ส่วนประกอบวงจรรวม

จีน TOP Electronic Industry Co., Ltd. รับรอง
จีน TOP Electronic Industry Co., Ltd. รับรอง
ผลิตภัณฑ์ที่ยอดเยี่ยมคุณภาพดีราคาแข่งขันบริการระดับมืออาชีพด้วยความร่วมมือ 10 ปีตอนนี้เรากลายเป็นเพื่อนที่ดีแต่ละอื่น ๆ

—— Ronald - จาก Boilvia

รู้สึกยินดีเป็นอย่างยิ่งที่ได้พบว่า TOP เป็นคู่ค้าของเราในประเทศจีนที่นี่เราจะได้สินค้าที่ดีที่สุดและ serice พวกเขามักจะนำลูกค้ามาตั้งแต่แรก

—— Carlos - จากอาร์เจนตินา

ฉันพอใจมากกับบริการทั้งหมดของคุณ เป็นทีมที่ดีจริงๆ! ด้วยโซลูชันโซลูชันแบบครบวงจรของคุณช่วยให้เราประหยัดเวลาและเงินมากขึ้น

—— Giancarlo - จากอิตาลี

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

ส่วนประกอบวงจรรวม

(565)
จีน 74VHC221AMTCX ตัวกระตุ้นมัลติไวเบรเตอร์แบบโมโนสเตเบิลคู่ พร้อมการทำงาน 2-5.5V อินพุตทนต่อแรงดันไฟฟ้า 5.5V ไดรฟ์เอาต์พุต 25mA ฟังก์ชันรีเซ็ตความกว้างพัลส์ <10ns ใช้พลังงานต่ำ และแพ็คเกจ TSSOP-16 โรงงาน

74VHC221AMTCX ตัวกระตุ้นมัลติไวเบรเตอร์แบบโมโนสเตเบิลคู่ พร้อมการทำงาน 2-5.5V อินพุตทนต่อแรงดันไฟฟ้า 5.5V ไดรฟ์เอาต์พุต 25mA ฟังก์ชันรีเซ็ตความกว้างพัลส์ <10ns ใช้พลังงานต่ำ และแพ็คเกจ TSSOP-16

74VHC221AMTCX Multivibrator Monostable Dual ที่ใช้งาน 2-5.5V การทํางาน 5.5V-ความอดทนในการเข้า 25mA Output Drive andlt; 10ns ปั๊มความกว้างการตั้งค่าใหม่ฟังก์ชัน การบริโภคพลังงานต่ําและแพ็คเกจ TSSOP-16 และnbsp ลั... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:14:09
จีน 74VHC00MTCX เกต NAND 2 อินพุต 2-5.5V แบบ Quad พร้อมเทคโนโลยี CMOS ทนแรงดันไฟฟ้าสูง 5.5V, ไดรฟ์เอาต์พุต 8mA, สัญญาณรบกวนต่ำ, หน่วงเวลา &lt;10ns และแพ็คเกจ TSSOP-14 ขนาดกะทัดรัด โรงงาน

74VHC00MTCX เกต NAND 2 อินพุต 2-5.5V แบบ Quad พร้อมเทคโนโลยี CMOS ทนแรงดันไฟฟ้าสูง 5.5V, ไดรฟ์เอาต์พุต 8mA, สัญญาณรบกวนต่ำ, หน่วงเวลา <10ns และแพ็คเกจ TSSOP-14 ขนาดกะทัดรัด

74VHC00MTCX เกท NAND 2 อินพุต 2-5.5V จำนวน 4 ตัว พร้อมเทคโนโลยี CMOS ความเร็วสูง 5.5V ทนทานต่อแรงดันไฟฟ้า 8mA Output Drive สัญญาณรบกวนต่ำ... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:14:09
จีน 74VCX00MTCX 2.3-3.6V เกต NAND 2 อินพุตแบบ Quad พร้อมอินพุต/เอาต์พุตทนแรงดัน 3.6V ไดรฟ์เอาต์พุตสมดุล 100mA หน่วงเวลาต่ำพิเศษ &lt;2.5ns ในแพ็คเกจ TSSOP-14 ขนาดเล็ก โรงงาน

74VCX00MTCX 2.3-3.6V เกต NAND 2 อินพุตแบบ Quad พร้อมอินพุต/เอาต์พุตทนแรงดัน 3.6V ไดรฟ์เอาต์พุตสมดุล 100mA หน่วงเวลาต่ำพิเศษ <2.5ns ในแพ็คเกจ TSSOP-14 ขนาดเล็ก

74VCX00MTCX เกต NAND 2-อินพุต 4 ตัว 2.3-3.6V พร้อมอินพุต/เอาต์พุตทนแรงดัน 3.6V ไดรฟ์เอาต์พุตสมดุล 100mA ดีเลย์ต่ำพิเศษ 2000V - โมเดลเครื่องจักร>250V แพ็คเกจ DQFN แบบไม่มีตะกั่ว ^_^ แอปพลิเคชัน 1. ระบบดิจิทัลแล... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:14:08
จีน IRFI4019HG-117P พาวเวอร์มอสเฟต 190A 100V Ultra-Low Rds(on) 1.9mΩ TO-264 ประสิทธิภาพสูง ทนทานต่อการใช้งาน การจัดการความร้อนที่เหนือกว่า และความหนาแน่นพลังงานสูงสำหรับงานที่ต้องการ โรงงาน

IRFI4019HG-117P พาวเวอร์มอสเฟต 190A 100V Ultra-Low Rds(on) 1.9mΩ TO-264 ประสิทธิภาพสูง ทนทานต่อการใช้งาน การจัดการความร้อนที่เหนือกว่า และความหนาแน่นพลังงานสูงสำหรับงานที่ต้องการ

IRFI4019HG-117P 190A พลังงาน MOSFET 100V Ultra-Low Rds ((on) 1.9mandOmega; TO-264 ประสิทธิภาพสูง ผลงานที่แข็งแรง การจัดการความร้อนที่ดีกว่าและความหนาแน่นของพลังงานสูงสําหรับการใช้งานที่ต้องการ และnbsp ลักษณะ แพ... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:14:07
จีน BAS16W 100V 200mA Switching Diode with 4ns Reverse Recovery Dual Series Configuration SOT-323 แพ็คเกจและเทปและบรรจุกล่องสําหรับการออกแบบวงจรความเร็วสูง โรงงาน

BAS16W 100V 200mA Switching Diode with 4ns Reverse Recovery Dual Series Configuration SOT-323 แพ็คเกจและเทปและบรรจุกล่องสําหรับการออกแบบวงจรความเร็วสูง

BAS16W 100V 200mA Switching Diode with 4ns Reverse Recovery Dual Series Configuration SOT-323 แพ็คเกจและเทปและแอมเปอร์บรรจุกล่องสําหรับการออกแบบวงจรความเร็วสูง และnbsp ลักษณะ ความเร็วการเปลี่ยนที่สูงมาก ความจุต... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:14:07
จีน X9015US8IZ 100-Tap Single XDCPTM พร้อมอินเตอร์เฟซ SPI ความจําที่ไม่ลุกลุกและการเรียกคืนพลังงาน 2.7V-5.5V การทํางาน ± 20% ความอดทน R 35kΩ R-Tempco สําหรับผลงานที่มั่นคง โรงงาน

X9015US8IZ 100-Tap Single XDCPTM พร้อมอินเตอร์เฟซ SPI ความจําที่ไม่ลุกลุกและการเรียกคืนพลังงาน 2.7V-5.5V การทํางาน ± 20% ความอดทน R 35kΩ R-Tempco สําหรับผลงานที่มั่นคง

X9015US8IZ 100-Tap Single XDCPandtrade; พร้อมอินเทอร์เฟซ SPI หน่วยความจำแบบไม่ลบเลือน และamp; Power-On Recall การทำงาน 2.7V-5.5V และplusmn;20% R-Tolerance 35kandOmega; R-Tempco เพื่อประสิทธิภาพที่เสถียร และnbsp... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:14:07
จีน W25Q128JVSIQ 128Mb (16MB) SPI NOR Flash พร้อม Quad/DUAL I/O อัตรา Clock 133MHz คุณสมบัติ Sector 4KB Uniform และ Page 256B สถาปัตยกรรมที่ยืดหยุ่น ประสิทธิภาพสูง และใช้พลังงานต่ำ โรงงาน

W25Q128JVSIQ 128Mb (16MB) SPI NOR Flash พร้อม Quad/DUAL I/O อัตรา Clock 133MHz คุณสมบัติ Sector 4KB Uniform และ Page 256B สถาปัตยกรรมที่ยืดหยุ่น ประสิทธิภาพสูง และใช้พลังงานต่ำ

W25Q128JVSIQ 128Mb (16MB) SPI NOR Flash พร้อม Quad/DUAL I/O อัตรา Clock 133MHz คุณสมบัติ 4KB Uniform Sector และamp; 256B Page สถาปัตยกรรมที่ยืดหยุ่น ประสิทธิภาพสูง และใช้พลังงานต่ำ และnbsp; คุณสมบัติ  ตระกูลให... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:14:07
จีน TXB0104PWR ตัวแปลงระดับแรงดันไฟฟ้าแบบสองทิศทาง 4 บิต พร้อมคุณสมบัติการตรวจจับทิศทางอัตโนมัติ 1.2V ถึง 3.6V บนพอร์ต A/B 2V ถึง 5.5V บน VCCA/B อัตราข้อมูลสูงและไม่จำเป็นต้องมีการจัดลำดับการจ่ายไฟ โรงงาน

TXB0104PWR ตัวแปลงระดับแรงดันไฟฟ้าแบบสองทิศทาง 4 บิต พร้อมคุณสมบัติการตรวจจับทิศทางอัตโนมัติ 1.2V ถึง 3.6V บนพอร์ต A/B 2V ถึง 5.5V บน VCCA/B อัตราข้อมูลสูงและไม่จำเป็นต้องมีการจัดลำดับการจ่ายไฟ

TXB0104PWR เครื่องแปลระดับความดันแบบสองทิศทาง 4 บิต พร้อมคุณสมบัติการตรวจจับทิศทางอัตโนมัติ 1.2V ถึง 3.6V บนสายพาน A/B 2V ถึง 5.5V บนอัตราการส่งข้อมูลสูง VCCA/B และไม่จําเป็นต้องมีการเรียงลําดับไฟฟ้า และnbsp ลั... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:14:06
จีน TLV2316IDR แอมป์ปฏิบัติการ 1.8V แรงดันต่ำ ใช้พลังงานต่ำ 300µA พร้อมแบนด์วิดท์ 3MHz Rail-to-Rail I/O อัตราการเปลี่ยนแปลง 0.3V/µs ช่วง -40 ถึง 125°C แพ็คเกจ SOIC-8 ขนาดเล็ก โรงงาน

TLV2316IDR แอมป์ปฏิบัติการ 1.8V แรงดันต่ำ ใช้พลังงานต่ำ 300µA พร้อมแบนด์วิดท์ 3MHz Rail-to-Rail I/O อัตราการเปลี่ยนแปลง 0.3V/µs ช่วง -40 ถึง 125°C แพ็คเกจ SOIC-8 ขนาดเล็ก

TLV2316IDR 1.8V ออปแอมป์กำลังไฟต่ำ 300μA พร้อมแบนด์วิดท์ 3MHz Rail-to-Rail I/O อัตราการหมุน 0.3V/μs ช่วง -40 ถึง 125°C แพ็คเกจ SOIC-8 ขนาดเล็ก คุณสมบัติ • แบนด์วิดท์เกนรวม: 10MHz • LowIQ: 400μA/ch – ประสิทธิภาพ... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:14:06
จีน TLP185 ((GB-TPL,SE 5kV/rms มินิ-ฟลาท SOP โฟโตคอปเลอร์ 50mA LED คอร์่งสูง CTR 50-600% ความเร็วสูง 1μs Max Wide Temp -55 ถึง 110 °C 3750Vrms การแยกแยก การอนุมัติความปลอดภัยพลังงานต่ํา โรงงาน

TLP185 ((GB-TPL,SE 5kV/rms มินิ-ฟลาท SOP โฟโตคอปเลอร์ 50mA LED คอร์่งสูง CTR 50-600% ความเร็วสูง 1μs Max Wide Temp -55 ถึง 110 °C 3750Vrms การแยกแยก การอนุมัติความปลอดภัยพลังงานต่ํา

TLP185 ((GB-TPL,SE 5kV/rms มินิ-ฟลาต SOP โฟโตคอปเลอร์ 50mA LED คอร์่งสูง CTR 50-600% ความเร็วสูง 1andmicro;s Max Wide Temp -55 ถึง 110anddeg;C 3750Vrms การแยกความละเอียดความแรงต่ํา การอนุมัติความปลอดภัย และnbsp ... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:14:06
Page 22 of 57|< 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 >|