โมดูลพลังงาน IGBT

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

โมดูล 4G 5G (37)

โมดูลการสื่อสารไร้สาย (38)

โมดูลรับสัญญาณ GPS (11)

โมดูลพลังงานบูรณาการ (4)

โมดูลพลังงาน IGBT (91)

ส่วนประกอบวงจรรวม (565)

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์แบบพาสซีฟ (94)

เสาอากาศ GPS รับสัญญาณสูง (14)

เสาอากาศสื่อสารไร้สาย (30)

Combo Antenna (14)

แอนเทนนาความถี่ต่ํา (5)

เสาอากาศทีวีดิจิตอล (7)

สายโคแอกเชียล RF (9)

ตัวเชื่อมต่อ RF Coaxial (10)

บริการประกอบวงจร PCB (5)

ขั้วต่อเทอร์มินัลบล็อก (19)

จีน TOP Electronic Industry Co., Ltd. รับรอง

ผลิตภัณฑ์ที่ยอดเยี่ยมคุณภาพดีราคาแข่งขันบริการระดับมืออาชีพด้วยความร่วมมือ 10 ปีตอนนี้เรากลายเป็นเพื่อนที่ดีแต่ละอื่น ๆ

—— Ronald - จาก Boilvia

รู้สึกยินดีเป็นอย่างยิ่งที่ได้พบว่า TOP เป็นคู่ค้าของเราในประเทศจีนที่นี่เราจะได้สินค้าที่ดีที่สุดและ serice พวกเขามักจะนำลูกค้ามาตั้งแต่แรก

—— Carlos - จากอาร์เจนตินา

ฉันพอใจมากกับบริการทั้งหมดของคุณ เป็นทีมที่ดีจริงๆ! ด้วยโซลูชันโซลูชันแบบครบวงจรของคุณช่วยให้เราประหยัดเวลาและเงินมากขึ้น

—— Giancarlo - จากอิตาลี

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

FF400R06KE3HOSA1 600V 400A IGBT โมดูลครึ่งสะพาน

FF400R06KE3HOSA1 600V 400A IGBT โมดูลครึ่งสะพาน

FF400R06KE3HOSA1 โมดูล IGBT 600V 400A เทคโนโลยีหยุดถ้ําครึ่งสะพาน VCEsat ความเร็วสูง

TT120N16SOFHPSA1 SCR โมดูล 1600V Vdrm 120A Itav ความดันติดต่อไฟกระชากสูง low loss เกรดอุตสาหกรรมสำหรับ power control

SC200EWFDA-G55-UNNNA ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อลูมิเนียม SMD พิกัด 200V อุณหภูมิ 105°C ความต้านทานต่ำ อายุการใช้งานยาวนาน ทนกระแสสูง -40 ถึง +105°C สำหรับแหล่งจ่ายไฟและ LED

TT600N16KOF 1600V 600A โมดูลไทริสตอร์คู่ VF 1.32V ความดันสูง 21kA เทคโนโลยีการติดต่อความดัน โบเซสเพลตแยกประตูขัง UL รับรองสําหรับเครื่องเริ่มต้นและเครื่องปรับอ่อน

โมดูลพลังงาน IGBT

(91)

FPS0R12W2T7 1200V โมดูล IGBT แบบ 2-in-1 เทคโนโลยี Trench Field Stop ไดโอด Fast Recovery ในตัว NTC ในตัว การแยกสูง การเหนี่ยวนำต่ำ ทนทานและมีประสิทธิภาพสำหรับมอเตอร์ไดรฟ์
ติดต่อ

FPS0R12W2T7 1200V 2-in-1 IGBT Module เทคโนโลยี Trench Field Stop ไดโอดฟื้นตัวเร็วในตัว NTC ในตัว ฉนวนสูง การเหนี่ยวนำต่ำ ทนทานและมีประสิทธิภาพสำหรับไดรฟ์มอเตอร์ คุณสมบัติ คุณสมบัติทางไฟฟ้า - VCES = 1200 V - IC ... อ่านเพิ่มเติม

2026-03-23 17:34:07

FP100R12KT4 1200V 100A PIM IGBT Module TRENCHSTOP™ IGBT4 Low VCE(sat) 2.1V ไดโอดเรียงกระแสและเบรกในตัว แผ่นฐานทองแดง NTC การสูญเสียการสวิตช์ต่ำ สำหรับมอเตอร์ไดรฟ์
ติดต่อ

FP100R12KT4 1200V 100A PIM IGBT Module TRENCHSTOP™ IGBT4 Low VCE(sat) 2.1V ไดโอดเรียงกระแสและเบรกในตัว แผ่นฐานทองแดง NTC การสูญเสียการสวิตช์ต่ำ สำหรับไดรฟ์มอเตอร์ คุณสมบัติ คุณสมบัติทางไฟฟ้า - VCES = 1200 V - ... อ่านเพิ่มเติม

2026-03-23 17:34:04

FP100R12KT4 1200V 100A PIM IGBT Module TRENCHSTOP™ IGBT4 Low VCE(sat) 2.1V ไดโอดเรียงกระแสและเบรกในตัว แผ่นฐานทองแดง NTC การสูญเสียการสวิตช์ต่ำ สำหรับมอเตอร์ไดรฟ์
ติดต่อ

FP100R12KT4 1200V 100A PIM IGBT Module TRENCHSTOP™ IGBT4 Low VCE(sat) 2.1V ไดโอดเรียงกระแสและเบรกในตัว แผ่นฐานทองแดง NTC การสูญเสียการสวิตช์ต่ำ สำหรับไดรฟ์มอเตอร์ คุณสมบัติ ความสามารถในการรับกำลังสูงและรอบการเป... อ่านเพิ่มเติม

2026-03-23 17:34:00

FP75R12KT4 B16 1200V 150A PIM IGBT Module Trench Field Stop Low VCE ((sat) 2.25V Integrated Rectifier และ NTC Copper Baseplate การทํางาน 150 °C สําหรับเครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์และ UPS
ติดต่อ

FP75R12KT4 B16 1200V 150A PIM โมดูล IGBT Trench Field Stop Low VCE(sat) 2.25V พร้อมวงจรเรียงกระแสในตัวและ NTC แผ่นฐานทองแดง การทำงานที่ 150°C สำหรับไดรฟ์มอเตอร์และ UPS คุณสมบัติ 1200V / 150A PIM (โมดูลรวมกำลัง) ... อ่านเพิ่มเติม

2026-03-23 17:33:56

SKKT107B16E 1600V 107A โมดูลไทริสตอร์คู่ VF 1.35V 2.4kA ความแรงสูงสูง AlN เครื่องติดต่อความดันฐานเซรามิก SEMIPACK1 ระงับ UL รับรองสําหรับเครื่องเริ่มเครื่องและเครื่องขับเคลื่อนอ่อน
ติดต่อ

SKKT107B16E 1600V 107A โมดูลไทริสตอร์คู่ VF 1.35V 2.4kA ความแรงสูงสูง AlN เครื่องติดต่อความดันฐานเซรามิก SEMIPACK1 ระงับ UL รับรองสําหรับเครื่องเริ่มเครื่องและเครื่องขับเคลื่อนอ่อน ลักษณะ 1600V ความดันสูงซ้ําซ้... อ่านเพิ่มเติม

2026-03-23 17:33:52

SKKT106/16E 1600V 106A โมดูลไทริสตอร์คู่ VF 1.35V 2.4kA ความดันแรงสูง AlN เครื่องติดต่อความดันฐานเซรามิก SEMIPACK1 การรับรอง UL ที่แยกตัวสําหรับเครื่องเริ่มต้นและเครื่องขับเคลื่อนอ่อน
ติดต่อ

SKKT106/16E 1600V 106A โมดูลไทริสตอร์คู่ VF 1.35V 2.4kA ความดันแรงสูง AlN เครื่องติดต่อความดันฐานเซรามิก SEMIPACK1 การรับรอง UL ที่แยกตัวสําหรับเครื่องเริ่มต้นและเครื่องขับเคลื่อนอ่อน ลักษณะ 1600V ความดันสูงซ้ํ... อ่านเพิ่มเติม

2026-03-23 17:33:36

SKKQ800/14E 1400V 800A โมดูลไทริสตอร์เดี่ยว การสลับเร็ว VF ต่ํา 1.37V 12kA การกระตุ้น AlN การติดต่อความดันฐานเซรามิก การขยายประตู UL รับรองสําหรับเครื่องเริ่มต้นและเครื่องเปลี่ยนอัตรา
ติดต่อ

SKKQ800/14E 1400V 800A โมดูลไทริสตอร์เดี่ยว การสลับเร็ว VF ต่ํา 1.37V 12kA การกระตุ้น AlN การติดต่อความดันฐานเซรามิก การขยายประตู UL รับรองสําหรับเครื่องเริ่มต้นและเครื่องเปลี่ยนอัตรา ลักษณะ ความดันความแรงสูงซ้... อ่านเพิ่มเติม

2026-03-23 17:33:28

FF400R06KE3 600V 400A IGBT โมดูล VCE ต่ํา (sat) ความแข็งแรงของวงจรสั้นสูง ความสูญเสียการสลับต่ํา ความโดดเดี่ยวสูงสําหรับเครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์อุตสาหกรรมและ UPS กําลังสูง
ติดต่อ

FF400R06KE3 600V 400A IGBT โมดูล VCE ต่ํา (sat) ความแข็งแรงของวงจรสั้นสูง ความสูญเสียการสลับต่ํา ความโดดเดี่ยวสูงสําหรับเครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์อุตสาหกรรมและ UPS กําลังสูง ลักษณะ โมดูล IGBT กระแสไฟฟ้าสูง600V / ... อ่านเพิ่มเติม

2026-02-28 18:16:15

FF300R12KT4 1200V 300A IGBT โมดูล VCE ต่ํา ((sat) ความแข็งแรงของวงจรสั้นสูง ความสูญเสียการสลับต่ํา ความโดดเดี่ยวสูงสําหรับเครื่องขับเคลื่อนอุตสาหกรรมหนักและ UPS พลังงานสูง
ติดต่อ

FF300R12KT4 1200V 300A IGBT โมดูล VCE ต่ํา ((sat) ความแข็งแรงของวงจรสั้นสูง ความสูญเสียการสลับต่ํา ความโดดเดี่ยวสูงสําหรับเครื่องขับเคลื่อนอุตสาหกรรมหนักและ UPS พลังงานสูง ลักษณะ โมดูล IGBT แรงสูง1200V / 300A ... อ่านเพิ่มเติม

2026-02-28 18:16:12

FF300R12KS4 1200V 300A IGBT โมดูล VCE ต่ํา (sat) ความแข็งแรงของวงจรสั้นสูง ความสูญเสียการสลับต่ํา ความโดดเดี่ยวสูงสําหรับเครื่องขับเคลื่อนอุตสาหกรรมหนักและ UPS พลังงานสูง
ติดต่อ

FF300R12KS4 1200V 300A IGBT โมดูล VCE ต่ํา (sat) ความแข็งแรงของวงจรสั้นสูง ความสูญเสียการสลับต่ํา ความโดดเดี่ยวสูงสําหรับเครื่องขับเคลื่อนอุตสาหกรรมหนักและ UPS พลังงานสูง ลักษณะ โมดูล IGBT แรงสูง ความตึง/กระแสไ... อ่านเพิ่มเติม

2026-02-28 18:16:09

Page 3 of 10|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|