logo
vr
TOP เป็นผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพในประเทศจีน

เราให้บริการโซลูชั่นครบวงจรจากโมดูลการสื่อสาร, เสาอากาศ, PCB, PCBA และส่วนประกอบทั้งหมดสำหรับ PCB Bom

ขาย:

บ้าน
ผลิตภัณฑ์
เกี่ยวกับเรา
ทัวร์โรงงาน
ควบคุมคุณภาพ
ติดต่อเรา
ขออ้าง
บ้าน ผลิตภัณฑ์

ส่วนประกอบวงจรรวม

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
โมดูล 4G 5G (37)
โมดูลการสื่อสารไร้สาย (38)
โมดูลรับสัญญาณ GPS (11)
โมดูลพลังงานบูรณาการ (4)
โมดูลพลังงาน IGBT (91)
ส่วนประกอบวงจรรวม (565)
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์แบบพาสซีฟ (94)
เสาอากาศ GPS รับสัญญาณสูง (14)
เสาอากาศสื่อสารไร้สาย (30)
Combo Antenna (14)
แอนเทนนาความถี่ต่ํา (5)
เสาอากาศทีวีดิจิตอล (7)
สายโคแอกเชียล RF (9)
ตัวเชื่อมต่อ RF Coaxial (10)
บริการประกอบวงจร PCB (5)
ขั้วต่อเทอร์มินัลบล็อก (19)
ผลิตภัณฑ์ที่ดีที่สุด
DS9093A วงจรรวมชิ้นส่วน MAXIM I BUTTON DS1990A-F5 Holder

DS9093A วงจรรวมชิ้นส่วน MAXIM I BUTTON DS1990A-F5 Holder

NXP MCU ARM Flash 32KB วงจรรวมสำหรับอุตสาหกรรม

NXP MCU ARM Flash 32KB วงจรรวมสำหรับอุตสาหกรรม

จีน TOP Electronic Industry Co., Ltd. รับรอง
จีน TOP Electronic Industry Co., Ltd. รับรอง
ผลิตภัณฑ์ที่ยอดเยี่ยมคุณภาพดีราคาแข่งขันบริการระดับมืออาชีพด้วยความร่วมมือ 10 ปีตอนนี้เรากลายเป็นเพื่อนที่ดีแต่ละอื่น ๆ

—— Ronald - จาก Boilvia

รู้สึกยินดีเป็นอย่างยิ่งที่ได้พบว่า TOP เป็นคู่ค้าของเราในประเทศจีนที่นี่เราจะได้สินค้าที่ดีที่สุดและ serice พวกเขามักจะนำลูกค้ามาตั้งแต่แรก

—— Carlos - จากอาร์เจนตินา

ฉันพอใจมากกับบริการทั้งหมดของคุณ เป็นทีมที่ดีจริงๆ! ด้วยโซลูชันโซลูชันแบบครบวงจรของคุณช่วยให้เราประหยัดเวลาและเงินมากขึ้น

—— Giancarlo - จากอิตาลี

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน
จีน MMBTA92LT1G PNP ทรานซิสเตอร์ 300V VCEO 500mA Ic SOT-23 แรงดันไฟฟ้าสูงความอิ่มตัวต่ำการสลับอย่างรวดเร็วสำหรับโทรคมนาคมและอุตสาหกรรม ผู้จัดจำหน่าย
MMBTA92LT1G PNP ทรานซิสเตอร์ 300V VCEO 500mA Ic SOT-23 แรงดันไฟฟ้าสูงความอิ่มตัวต่ำการสลับอย่างรวดเร็วสำหรับโทรคมนาคมและอุตสาหกรรม

ส่วนประกอบวงจรรวม

(565)
จีน IRFHM9331TRPBF 30V DUAL N+P MOSFET 5.3A/3.7A 0.045Ω/0.075Ω RDS (ON) DFN-10 175 ° C AEC-Q101 โรงงาน

IRFHM9331TRPBF 30V DUAL N+P MOSFET 5.3A/3.7A 0.045Ω/0.075Ω RDS (ON) DFN-10 175 ° C AEC-Q101
ติดต่อ

IRFHM9331TRPBF และnbsp; คุณสมบัติและnbsp; และnbsp; และnbsp; และnbsp; และnbsp; และnbsp; และnbsp; และnbsp; และnbsp; และnbsp; และnbsp; และnbsp; และnbsp; และnbsp; และnbsp; และnbsp; และnbsp; และnbsp; และnbsp;/แล... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:13:43
จีน IRF4905PBF -55V P-Channel MOSFET 74A ปัจจุบัน 0.02Ω Rds ((on) TO-220AB 175°C ปริมาตรสูงสุด โรงงาน

IRF4905PBF -55V P-Channel MOSFET 74A ปัจจุบัน 0.02Ω Rds ((on) TO-220AB 175°C ปริมาตรสูงสุด
ติดต่อ

IRF4905PBF และnbsp; คุณสมบัติ เทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง ความต้านทานต่ำพิเศษ อัตรา dv/dt แบบไดนามิก อุณหภูมิใช้งาน 175anddeg;C การสลับที่รวดเร็ว P-Channel ได้รับการจัดอันดับ Avalanche อย่างเต็มที่ ปราศจากสารตะกั่ว ... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:13:42
จีน BLM31PG601SN1L 600Ω Ferrite Bead 1206 ขนาด 3A ปัจจุบันระดับสูง ความขัดขวางสูง@100MHz AEC-Q200 -55°C ถึง +125°C โรงงาน

BLM31PG601SN1L 600Ω Ferrite Bead 1206 ขนาด 3A ปัจจุบันระดับสูง ความขัดขวางสูง@100MHz AEC-Q200 -55°C ถึง +125°C
ติดต่อ

BLM31PG601SN1L และnbsp คําอธิบาย 1.1 การใช้งานเฉพาะ: andbull; อุปกรณ์พลังงาน: ผลิตภัณฑ์ที่สามารถนําไปใช้ในอุปกรณ์พลังงาน เช่น อุปกรณ์พลังงานที่เกิดจากแหล่งที่นวัตกรรมได้อุปกรณ์เก็บพลังงานและอุปกรณ์ชาร์จ EV และห... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:13:42
จีน ชิ้นส่วนวงจรรวมสะพาน USB USB เข้ากับ UART การสื่อสารอินเตอร์เฟส USB 2.0 ของ UART โรงงาน

ชิ้นส่วนวงจรรวมสะพาน USB USB เข้ากับ UART การสื่อสารอินเตอร์เฟส USB 2.0 ของ UART
ติดต่อ

USB Bridge, USB to UART USB 2.0 UART อินเตอร์เฟซการสื่อสาร IC XR21V1414IM48-F กับแพคเกจ 48TQFP และnbspและnbsp ลักษณะandbull; สอดคล้องกับ USB 2.0 ความเร็วเต็ม (12 Mbps)■ รองรับ USB หยุด, เริ่มต้นและรีโมทการดําเน... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:13:41
จีน STM32F030K6T6 ไมโครคอนโทรลเลอร์ Cortex-M0 48MHz หน่วยความจำแฟลช 32KB RAM 4KB ADC 12 บิต 16 GPIOs LQFP-32 2.4-3.6V -40°C ถึง +85°C ประหยัดค่าใช้จ่าย โรงงาน

STM32F030K6T6 ไมโครคอนโทรลเลอร์ Cortex-M0 48MHz หน่วยความจำแฟลช 32KB RAM 4KB ADC 12 บิต 16 GPIOs LQFP-32 2.4-3.6V -40°C ถึง +85°C ประหยัดค่าใช้จ่าย
ติดต่อ

STM32F030K6T6 และnbsp ลักษณะ andbull; Core: Armandreg; 32-bit Cortexandreg;-M0 CPU ความถี่สูงสุด 48 MHz และ bull ความทรงจํา และ 16 ถึง 256 กิบาไบต์ของความจําฟแลช และ และ– 4 ถึง 32 Kbyte ของ SRAM กับ HW parity ... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 13:11:50
จีน โรงงาน

ติดต่อ

MMBT2907ALT1G ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ PNP 60V VCEO, กระแสต่อเนื่อง 600mA กำลังไฟ 310mW แพ็คเกจ SOT-23 แรงดันอิ่มตัวต่ำ กำลังขยายกระแสสูง สำหรับการขยายสัญญาณและamp; การสลับแบบอเนกประสงค์ และnbsp; คุณสมบัติ 1:ประเภท... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 12:20:41
จีน โรงงาน

ติดต่อ

MMBT5551LT1G ทรานซิสเตอร์ NPN แรงดันไฟฟ้าสูง คุณสมบัติ คำนำหน้า S และ NSV สำหรับยานยนต์และการใช้งานอื่นๆ ที่ต้องการข้อกำหนดการเปลี่ยนแปลงไซต์และควบคุมที่ไม่ซ้ำกัน; ได้รับการรับรอง AEC−Q101 และ PPAP Capable อุปก... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 12:20:04
จีน โรงงาน

ติดต่อ

SL02-GS08 80V โฟโตตรังสิสเตอร์ ออปโตคัพเลอร์ 50mA คอลเลคเตอร์กระแสไฟฟ้า CTR สูง 4-ปิน SOP 5000% VISO -55 °C ถึง +110 °C การแก้ไขการแยกสัญญาณไร้ฮาโลเจน SL02-GS08 เป็น optocoupler phototransistor ที่มีความน่าเชื่... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 12:18:31
จีน BCX54-10-QX 45V PNP Transistor 1A Collector Current Low VCE ((sat) 250mV TO-243AA Package การเพิ่มกระแสไฟฟ้าสูง (hFE 100-630) AEC-Q101 มีคุณสมบัติสําหรับการใช้งานในอุตสาหกรรมรถยนต์ โรงงาน

BCX54-10-QX 45V PNP Transistor 1A Collector Current Low VCE ((sat) 250mV TO-243AA Package การเพิ่มกระแสไฟฟ้าสูง (hFE 100-630) AEC-Q101 มีคุณสมบัติสําหรับการใช้งานในอุตสาหกรรมรถยนต์
ติดต่อ

BCX54-10-QX และnbsp 1คําอธิบายทั่วไป และ NPN ทรานซิสเตอร์พลังงานกลางในกระเป๋าพลาสติก SOT89 (SC-62) 2ลักษณะและประโยชน์ andbull; IC และ ICM ความสามารถในกระแสไฟฟ้าสูง andbull; สามตัวเลือกการเพิ่มปัจจุบัน andbull; ... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 12:11:00
จีน TL084CPWR ควอดแอมป์ขยายสัญญาณ JFET เสียงรบกวนต่ำ 4MHz แบนด์วิดท์ อัตราการเปลี่ยนแปลง 13V/μs แหล่งจ่ายไฟ ±18V อคติอินพุต 3pA TSSOP-14 อุณหภูมิ -40°C ถึง +105°C โรงงาน

TL084CPWR ควอดแอมป์ขยายสัญญาณ JFET เสียงรบกวนต่ำ 4MHz แบนด์วิดท์ อัตราการเปลี่ยนแปลง 13V/μs แหล่งจ่ายไฟ ±18V อคติอินพุต 3pA TSSOP-14 อุณหภูมิ -40°C ถึง +105°C
ติดต่อ

TL084CPWR Quad Low-Noise JFET Op Amp 4MHz ความกว้างแบนด์ 13V/andmu;s Slew Rate andplusmn;18V การจําหน่าย 3pA ความคัดค้านการเข้า TSSOP-14 -40anddeg;C ถึง +105anddeg;C และnbsp ลักษณะ และ bull; อัตราการฆ่าสูง: 20V... อ่านเพิ่มเติม
2025-12-16 12:10:48
Page 44 of 57|< 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 >|
natasha007007
โมดูล 4G 5G

โมดูลเซลลูล่าร์ GSM ความเร็วสูงโมดูล 4G LTE สำหรับเราเตอร์, เน็ตบุ๊ค

โมดูล EM7430 ระยะยาว RF 4G LTE Cat 6 โดยหลักแล้วสําหรับชิปเซ็ต MDM9230 ของเอเชียแปซิฟิก

โมดูล MC7430 MDM9230 4G LTE

ชิปเซ็ตไร้สายฝังตัว 4G ของ Qualcomm MDM9230 MC7455 USB 3.0

ส่วนประกอบวงจรรวม

280756-4 4 ตําแหน่ง 2.5 มม Pitch Wire-to-Board Receptacle Crimp Housing Friction Lock Panel Mount UL 94V-0 การจดจ่อ 4.5A การจัดจําหน่ายพลังงานและการควบคุมอุตสาหกรรม

280389-2 2 ตําแหน่ง 2.5 มิลลิเมตร Pitch Wire-to-Board Header Vertical Through Hole Covered Polarized UL 94V-0 Tin Plated สําหรับอุตสาหกรรมรถยนต์และอุตสาหกรรม

SM4004PL-TP 400V 1A ไดโอดอเนกประสงค์ VF ต่ำ 1.1V การรั่วไหลต่ำ 5µA การกระชากสูง 30A SOD-123FL -65°C ถึง 175°C เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS สำหรับแหล่งจ่ายไฟและไฟ LED

เสาอากาศ GPS รับสัญญาณสูง

SMA / SMB / BNC Connector เสาอากาศภายนอก GPS HI ได้รับสำหรับระบบยานพาหนะ

เสาอากาศ GPS ที่มีประสิทธิภาพสูงสำหรับโทรศัพท์มือถือ TOP-GPS-AI08

การเชื่อมต่อที่เหมาะสมเสาอากาศสูง 50 โอห์มที่มีการติดตั้งสกรูสูง

ขอใบเสนอราคา
sgs

ข่าว

E-Mail | แผนผังเว็บไซต์

ไซต์มือถือ
นโยบายความเป็นส่วนตัว | จีน ดี คุณภาพ โมดูล 4G 5G ผู้จัดหา. © 2016 - 2026 TOP Electronic Industry Co., Ltd.. All Rights Reserved.