FD1200R17HP4-K_B2 โมดูล IGBT 1700V/1200A เทคโนโลยี Press-Fit, VCE(sat) ต่ำ, การสวิตชิ่งความเร็วสูง, การสูญเสียน้อย, แผ่นฐานแยก, เซ็นเซอร์ NTC, เกรดอุตสาหกรรมสำหรับระบบขับเคลื่อนและงานหนัก

FD1200R17HP4-K_B2 1700V/1200A โมดูล IGBT เทคโนโลยีปรับปรับพิมพ์ VCE ต่ํา ((sat) การสลับความเร็วสูง ความสูญเสียต่ํา แผ่นฐานโดดเดี่ยว NTC เซนเซอร์เกรดอุตสาหกรรมสําหรับแรงดึงและเครื่องขับเคลื่อนหนัก

ลักษณะ

• ระดับพลังงานสูงสุด:1700 V / 1200 A

• การตั้งค่า:IGBT สองสาย

• เทคโนโลยีการติดต่อแบบพิมพ์:เพิ่มความน่าเชื่อถือ การขับเคลื่อนพลังงาน และความแข็งแรงทางกล

• ความดันความชุ่มชื่นต่ําVCE ((sat) สําหรับการสูญเสียการนําทางอย่างน้อย

• ความสูญเสียในการเปลี่ยนที่ต่ํา:สามารถทํางานได้อย่างมีประสิทธิภาพ ในระบบพลังงานสูง และความถี่สูง

• พล็อตฐานแยก:รับประกันความปลอดภัยทางไฟฟ้าและปรับปรุงการออกแบบระบบเย็น

• เครื่องทําความร้อน NTC ที่ติดตั้งสําหรับการติดตามและป้องกันความร้อนในเวลาจริง

• ความแข็งแรงสูง:อุปกรณ์อัดสั้นและอัตราการอ้วนได้ดีมาก

การใช้งาน

• เครื่องขับเคลื่อน:อินเวอร์เตอร์ขับเคลื่อนหลักสําหรับรถไฟฟ้าและรถยนต์ไฮบริด รถไฟความเร็วสูง รถราง และรถขุดเหมืองหนัก

• เครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์อุตสาหกรรมหนัก:สําหรับการควบคุมมอเตอร์ AC ขนาดใหญ่มากในเครื่องขุดเหมืองหิน เครื่องม้วนโลหะ เครื่องบดขนาดใหญ่ และระบบขับเคลื่อนเรือ

• เครื่องปรับเปลี่ยนอุปกรณ์กระบวนการลมพลังงานสูง:ใช้ในเครื่องแปลงความแรงกลางของระบบพลังงานลมหลายเมกะวัตต์

• เครื่องขับเคลื่อนระดับความดันกลาง (MVD):ส่วนประกอบหลักในเครื่องแปลงสําหรับเครื่องขับเคลื่อนมอเตอร์แรงกลางอุตสาหกรรม

• UPS อุตสาหกรรมพลังงานสูง:รูปแบบเวทีอินเวอร์เตอร์ในสายไฟฟ้าที่ไม่ขาดสายในระดับเมกะวัตต์ สําหรับพื้นฐานสําคัญ เช่น ศูนย์ข้อมูลและโรงงานอุตสาหกรรม

คําอธิบาย

FD1200R17HP4-K_B2 เป็นโมดูล IGBT แบบคู่พลังงานสูงสุดที่ออกแบบมาสําหรับการใช้งานความแรงดันสูงและกระแสไฟฟ้าสูงที่ต้องการมากที่สุดในอุตสาหกรรมหนักและแรงดึงเครื่องประกอบการประกอบการ, มันเป็นจุดสูงสุดของผลงานสําหรับระบบแปลงพลังงานขนาดเมกะวัตต์มีความแรงดันความอิ่มของคอลเลคเตอร์-เอเมเตอร์ที่ต่ํามาก (VCE ((sat)) และสูญเสียการสลับที่ต่ําที่สุด, ซึ่งมีความสําคัญในการลดการสูญเสียพลังงานและความเครียดทางความร้อนในวงจรพลังงานสูง

ลักษณะสําคัญคือเทคโนโลยีติดต่อพิมพ์ที่พัฒนามีความก้าวหน้า ซึ่งให้การเชื่อมต่อที่แข็งแกร่งและไร้ solder สําหรับความสามารถในการจักรยานพลังงานที่เหนือกว่า ความสมบูรณ์แบบทางกลและความน่าเชื่อถือในระยะยาว.มันรวมถึงเทอร์มิสเตอร์ NTC ที่ติดตั้งไว้สําหรับการติดตามและป้องกันอุณหภูมิที่แม่นยํา และแผ่นฐานที่แยกกันอย่างสมบูรณ์แบบสําหรับการจัดการอุณหภูมิที่ปลอดภัยและมีประสิทธิภาพการ สร้าง แบบ อุตสาหกรรม ให้ ความแข็งแกร่ง เป็นพิเศษความสามารถในการทนต่อการตัดสั้น และความมั่นคงในการทํางานภายใต้สภาพที่รุนแรงที่สุด

ข้อมูล

• การตั้งค่า
  โฮแลป
• ขนาด (ความกว้าง)
  140 มม.
• ขนาด (ความยาว)
  130 มม.
• ลักษณะ
  พีซี 200% ไดโอ้ดขนาดใหญ่
• บ้านพัก
  IHM B
• ฉันC ((nom)/ ฉันF ((nom)
  1200 A
• ฉันCสูงสุด
  1200 A
• คุณสมบัติ
  อุตสาหกรรม, การดึง
• เทคโนโลย
  IGBT4 - P4
• VCE ((sat)(Tvj = 25 °C แบบ)
  1.9 V
• VCES/ VRRM
  1700 วอลต์
• VF(Tvj = 25 °C แบบ)
  1.65 วอลต์
• ระดับความดันสูงสุด
  1700 วอลต์

การวาด

ข้อดีของเรา:โทรศัพท์ เครื่อง PDA และคอมพิวเตอร์พับ

• ผลิตภัณฑ์ที่มีคุณภาพสูง --- ของเรานําเสนอเป็น 100% ของใหม่และเดิม, ROHS
• ราคาที่สามารถแข่งขันได้ --- ช่องทางการซื้อที่ดี
• บริการมืออาชีพ --- การทดสอบคุณภาพที่เข้มงวดก่อนการจัดส่ง และบริการหลังการขายที่สมบูรณ์แบบหลังจากการซื้อ
• อุปกรณ์ที่เหมาะสม --- ด้วยการสนับสนุนของทีมงานการซื้อสินค้าของเราที่แข็งแรง
• การจัดส่งเร็ว --- เราจะส่งสินค้าภายใน 1-3 วันทําการหลังจากการชําระเงินยืนยัน

และnbsp

ให้แน่ใจว่าจะตอบสนองความต้องการของคุณ สําหรับทุกชนิดของส่วนประกอบ^_^


รายการสินค้า
จําหน่ายชุดส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ครบวงจร semiconductors ส่วนประกอบที่ทํางานและอัมพวา


ข้อเสนอต่างๆ ได้แก่
วงจรบูรณาการ IC ความจํา ไดโอเดส ทรานซิสเตอร์ คอนเดสซิเตอร์ ริสติสเตอร์ วาริสเตอร์ ฟิวส์ ทริมเมอร์ แอนด์แอมเปอร์ โปเทนติโอเมตร ทรานฟอร์เมอร์ แบตเตอรี่ เคเบิล รีเล่ย์ สวิตช์ คอนเนคเตอร์ เทอร์มินัล บล็อกคริสตัลแอนด์แอมเปอร์; ออสซิลเลอเตอร์ อินดูเตอร์ เซนเซอร์ ทรานฟอร์เมอร์ ไดรเวอร์ IGBT LED LCD เครื่องแปลง PCB PCB

แรงในแบรนด์:
ไมโครชิป MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK เป็นต้น