TOP เป็นผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์มืออาชีพในประเทศจีน

เราให้บริการโซลูชั่นครบวงจรจากโมดูลการสื่อสาร, เสาอากาศ, PCB, PCBA และส่วนประกอบทั้งหมดสำหรับ PCB Bom

ขาย:

Thai

บ้าน
ผลิตภัณฑ์
เกี่ยวกับเรา
ทัวร์โรงงาน
ควบคุมคุณภาพ
ติดต่อเรา
ขออ้าง

บ้าน ผลิตภัณฑ์

power terminal blocks

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

โมดูล 4G 5G (37)

โมดูลการสื่อสารไร้สาย (38)

โมดูลรับสัญญาณ GPS (11)

โมดูลพลังงานบูรณาการ (4)

โมดูลพลังงาน IGBT (91)

ส่วนประกอบวงจรรวม (565)

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์แบบพาสซีฟ (94)

เสาอากาศ GPS รับสัญญาณสูง (14)

เสาอากาศสื่อสารไร้สาย (30)

Combo Antenna (14)

แอนเทนนาความถี่ต่ํา (5)

เสาอากาศทีวีดิจิตอล (7)

สายโคแอกเชียล RF (9)

ตัวเชื่อมต่อ RF Coaxial (10)

บริการประกอบวงจร PCB (5)

ขั้วต่อเทอร์มินัลบล็อก (19)

จีน TOP Electronic Industry Co., Ltd. รับรอง

ผลิตภัณฑ์ที่ยอดเยี่ยมคุณภาพดีราคาแข่งขันบริการระดับมืออาชีพด้วยความร่วมมือ 10 ปีตอนนี้เรากลายเป็นเพื่อนที่ดีแต่ละอื่น ๆ

—— Ronald - จาก Boilvia

รู้สึกยินดีเป็นอย่างยิ่งที่ได้พบว่า TOP เป็นคู่ค้าของเราในประเทศจีนที่นี่เราจะได้สินค้าที่ดีที่สุดและ serice พวกเขามักจะนำลูกค้ามาตั้งแต่แรก

—— Carlos - จากอาร์เจนตินา

ฉันพอใจมากกับบริการทั้งหมดของคุณ เป็นทีมที่ดีจริงๆ! ด้วยโซลูชันโซลูชันแบบครบวงจรของคุณช่วยให้เราประหยัดเวลาและเงินมากขึ้น

—— Giancarlo - จากอิตาลี

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

power terminal blocks

(100)

FF300R12KS4 1200V 300A IGBT โมดูล VCE ต่ํา (sat) ความแข็งแรงของวงจรสั้นสูง ความสูญเสียการสลับต่ํา ความโดดเดี่ยวสูงสําหรับเครื่องขับเคลื่อนอุตสาหกรรมหนักและ UPS พลังงานสูง
ติดต่อ

FF300R12KS4 1200V 300A IGBT Module Low VCE(sat) High Short Circuit Ruggedness Low Switching Loss High Isolation For Heavy Industrial Drives and High Power UPS Features High-Power Dual IGBT Module Voltage... อ่านเพิ่มเติม

2026-02-28 18:16:09

FS20R06VE3_B2 600V 20A โมดูล IGBT เทคโนโลยี Trenchstop Low VCEsat Fast Switching Integrated NTC PressFIT Contact High Power Density ECONOIM-3 สำหรับไดรฟ์
ติดต่อ

FS20R06VE3_B2 600V 20A IGBT Module Trenchstop Technology Low VCEsat Fast Switching Integrated NTC PressFIT Contact High Power Density ECONOIM-3 for Drives Features Technology: Utilizes TRENCHSTOP™ IGBTs ... อ่านเพิ่มเติม

2026-03-23 17:34:11

FS75R12KT3 1200V 75A โมดูล IGBT Trenchstop IGBT3 ไดโอด Fast EmCon การกำหนดค่า Sixpack NTC ในตัว ความเหนี่ยวนำต่ำ ความหนาแน่นพลังงานสูง EconoPACK™2 สำหรับไดรฟ์
ติดต่อ

FS75R12KT3 1200V 75A IGBT Module Trenchstop IGBT3 Fast EmCon Diode Sixpack Configuration Integrated NTC Low Inductance High Power Density EconoPACK™2 for Drives Features Technology: Employs fast trench/field... อ่านเพิ่มเติม

2026-03-23 17:34:16

FPS0R12W2T7 0.12W อัตราการนำไฟฟ้าต่ำพิเศษ Rds(on) การจัดเรียงขา 2-in-7 สวิตชิ่งความเร็วสูง ประสิทธิภาพสูง ขนาดกะทัดรัด การจัดการความร้อนที่เหนือกว่า ไร้สารตะกั่วสำหรับระบบจ่ายไฟ
ติดต่อ

FPS0R12W2T7 0.12W Ultra-Low Rds(on) 2-in-7 Pinout High-Speed Switching High Efficiency Compact Size Superior Thermal Mgmt Lead-Free for Power Systems Features Electrical features - VCES = 1200 V - IC nom = 100 ... อ่านเพิ่มเติม

2026-03-23 17:34:19

SKM400GB12T4 1200V 400A โมดูล IGBT สองแบบ TRENCHSTOP TM IGBT4 VCE ต่ํา (sat) 1.75V 10μs SC ความสามารถ CAL Diode ความสูญเสียการสลับต่ํา SEMITRANS3 UL รับรองสําหรับเครื่องขับเคลื่อนพลังงานสูง
ติดต่อ

SKM400GB12T4 1200V 400A Dual IGBT Module TRENCHSTOP™ IGBT4 Low VCE(sat) 1.75V 10μs SC Capability CAL Diode Low Switching Losses SEMITRANS3 UL Certified for High-Power Drives Features 1200V collector-emitter ... อ่านเพิ่มเติม

2026-04-10 18:08:16

1206B104K101CT – MLCC ขนาด 1206 ไดอิเล็กทริก X7R 0.1µF ±10% พิกัด 100V ESR ต่ำ ช่วงอุณหภูมิ -55°C ถึง +125°C เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการดีคัปปลิ้งและการกรองพลังงาน
ติดต่อ

1206B104K101CT – MLCC 1206 case X7R dielectric 0.1µF ±10% 100V rated low ESR wide -55°C to +125°C range perfect for decoupling and power filtering Features Package size: 1206 (3.2 mm × 1.6 mm) Dielectric: X7R – ... อ่านเพิ่มเติม

2026-05-09 16:23:29

IRFP240 N-Chan MOSFET 200V Vdss 20A Id 0.18Ohm Rds ((on) เปลี่ยนเร็ว TO-247 แพ็คเกจที่น่าเชื่อถือสําหรับเสียงและพลังงาน
ติดต่อ

IRFP240 N-Chan MOSFET 200V Vdss 20A Id 0.18Ohm Rds(on) fast switching TO-247 package reliable for audio and power Features N-Channel Enhancement Mode – Standard positive gate drive, easy to use in common ... อ่านเพิ่มเติม

2026-05-09 16:23:54

SC200EWFDA-G55-UNNNA ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อลูมิเนียม SMD พิกัด 200V อุณหภูมิ 105°C ความต้านทานต่ำ อายุการใช้งานยาวนาน ทนกระแสสูง -40 ถึง +105°C สำหรับแหล่งจ่ายไฟและ LED
ติดต่อ

SC200EWFDA-G55-UNNNA SMD alum electrolytic 200V rated 105°C low impedance long life high ripple -40 to +105°C for power and LED Features SMD Aluminum Electrolytic Construction – Ideal for automated pick-and... อ่านเพิ่มเติม

2026-05-09 16:23:49

TT120N16SOFHPSA1 SCR โมดูล 1600V Vdrm 120A Itav ความดันติดต่อไฟกระชากสูง low loss เกรดอุตสาหกรรมสำหรับ power control
ติดต่อ

TT120N16SOFHPSA1 SCR module 1600V Vdrm 120A Itav pressure contact high surge low loss industrial grade for power control Features 1600V Repetitive Peak Off-State Voltage (Vdrm) – Suitable for high-voltage AC ... อ่านเพิ่มเติม

2026-05-19 17:45:04

TPS51200DRCR ตัวควบคุมการสิ้นสุด DDR 3A Sink/Source สำหรับ VDDQ=1.5V/1.8V/2.5V พร้อม VTT=±0.5% ตัวบัฟเฟอร์อ้างอิงความแม่นยำ and Low IQ ใน SON-10 ขนาด 2mmx2mm
ติดต่อ

TPS51200DRCR 3A Sink/Source DDR Termination Regulator for VDDQ=1.5V/1.8V/2.5V with VTT=andplusmn;0.5% Accuracy Reference Buffer andamp; Low IQ in 2mmx2mm SON-10 andnbsp; Features andbull; Input voltage: ... อ่านเพิ่มเติม

2025-12-16 13:14:23

Page 3 of 10|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|