TLV1117LV33DCYR 800mA LDO 3.3V การออกแบบคงที่ 1% ความแม่นยํา ความดันตกต่ํา ความแรงดันเกินกระแสและการป้องกันความร้อน -40 °C ถึง 125 °C มีความมั่นคงกับคอนเดซิสเตอร์เซรามิก SOT-223 แพ็คเกจ

TLV1117LV33DCYR 800mA LDO 3.3V เอาต์พุตคงที่ ความแม่นยำ 1% แรงดันไฟฟ้าตกคร่อมต่ำ การป้องกันกระแสเกินและความร้อน -40°C ถึง 125°C เสถียรด้วยตัวเก็บประจุเซรามิก แพ็คเกจ SOT-223

คุณสมบัติ

• ความแม่นยำทั่วไป: 1.5%

• Low IQ: 100 μA (สูงสุด)– ต่ำกว่าอุปกรณ์ 1117 มาตรฐาน 500 เท่า

• VIN: 2 V ถึง 5.5 V– VIN สูงสุดสัมบูรณ์: 6 V

• เสถียรด้วยกระแสไฟขาออก 0 mA

• แรงดันไฟฟ้าตกคร่อมต่ำ: 455 mV ที่ 1 A สำหรับ VOUT = 3.3 V

• PSRR สูง: 65 dB ที่ 1 kHz

• ขีดจำกัดกระแสไฟขั้นต่ำที่ระบุ: 1.1 A

• เสถียรด้วยตัวเก็บประจุเซรามิกที่คุ้มค่า:– ด้วย 0-Ω ESR

• ช่วงอุณหภูมิ: –40°C ถึง +125°C

• การป้องกันความร้อนเกินและการป้องกันกระแสเกิน

• สำหรับการเปลี่ยนแบบดรอปอินพร้อมฟังก์ชันการทำงานที่อัปเกรดแล้ว โปรดดู TLV761

• มีจำหน่ายในแพ็คเกจ SOT-223

แอปพลิเคชัน

• กล่องรับสัญญาณ

• ทีวีและจอภาพ

• อุปกรณ์ต่อพ่วง PC, โน้ตบุ๊ก, เมนบอร์ด

• โมเด็มและผลิตภัณฑ์สื่อสารอื่นๆ

• การควบคุมหลังการจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง

คำอธิบาย

TLV1117LV ตัวควบคุมเชิงเส้นแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมต่ำ (LDO) เป็นรุ่นแรงดันไฟฟ้าอินพุตต่ำของตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้า TLV1117 ที่ได้รับความนิยม

TLV1117LV เป็นอุปกรณ์พลังงานต่ำมากที่ใช้กระแสไฟนิ่งต่ำกว่าตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้า 1117 ทั่วไปถึง 500 เท่า ทำให้อุปกรณ์นี้ออกแบบมาสำหรับแอปพลิเคชันที่ต้องการกระแสไฟสแตนด์บายต่ำมาก TLV1117LV LDO ยังมีความเสถียรด้วยกระแสโหลด 0 mA ไม่มีข้อกำหนดโหลดขั้นต่ำ ทำให้อุปกรณ์นี้เป็นตัวเลือกที่ดีสำหรับแอปพลิเคชันที่ตัวควบคุมต้องจ่ายไฟให้กับโหลดขนาดเล็กมากในระหว่างสแตนด์บาย นอกเหนือจากกระแสไฟขนาดใหญ่ในลำดับ 1 A ในระหว่างการทำงานปกติ TLV1117LV ให้ประสิทธิภาพการเปลี่ยนแปลงของสายและโหลดที่ยอดเยี่ยม ส่งผลให้แรงดันไฟฟ้าขาออกต่ำเกินไปและสูงเกินไปมีขนาดเล็กมากเมื่อความต้องการกระแสโหลดเปลี่ยนจากน้อยกว่า 1 mA เป็นมากกว่า 500 mA

แบนด์แกปและแอมพลิฟายเออร์ข้อผิดพลาดที่มีความแม่นยำให้ความแม่นยำ 1.5% อัตราส่วนการปฏิเสธแหล่งจ่ายไฟ (PSRR) ที่สูงมากช่วยให้สามารถใช้อุปกรณ์สำหรับการควบคุมหลังตัวควบคุมแบบสวิตชิ่งได้ คุณสมบัติที่มีค่าอื่นๆ ได้แก่ สัญญาณรบกวนขาออกต่ำและแรงดันไฟฟ้าตกคร่อมต่ำ

อุปกรณ์ได้รับการชดเชยภายในเพื่อให้มีความเสถียรด้วยตัวเก็บประจุที่มีความต้านทานอนุกรมเทียบเท่า (ESR) 0-Ω ข้อได้เปรียบที่สำคัญเหล่านี้ช่วยให้สามารถใช้ตัวเก็บประจุเซรามิกขนาดเล็กที่คุ้มค่าได้ นอกจากนี้ยังสามารถใช้ตัวเก็บประจุที่คุ้มค่าซึ่งมีแรงดันไบอัสและอุณหภูมิที่ลดลงได้หากต้องการ

ข้อมูล

ภาพวาด

ข้อได้เปรียบของเรา:

• ผลิตภัณฑ์คุณภาพสูง --- ข้อเสนอของเราเป็นของใหม่และเป็นของแท้ 100% ROHS
• ราคาที่แข่งขันได้ --- ช่องทางการจัดซื้อที่ดีพร้อมราคาที่ดี
• บริการระดับมืออาชีพ --- การทดสอบคุณภาพอย่างเข้มงวดก่อนการจัดส่ง และบริการหลังการขายที่สมบูรณ์แบบหลังจากการซื้อ
• สินค้าคงคลังเพียงพอ --- ด้วยการสนับสนุนจากทีมจัดซื้อที่แข็งแกร่งของเรา
• จัดส่งรวดเร็ว --- เราจะจัดส่งสินค้าภายใน 1-3 วันทำการหลังจากยืนยันการชำระเงิน

ต้องแน่ใจว่าจะตอบสนองความต้องการของคุณสำหรับส่วนประกอบทุกชนิด^_^


รายการสินค้า
จัดหาชุดส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์, เซมิคอนดักเตอร์ครบวงจร, ส่วนประกอบแบบแอคทีฟและพาสซีฟ เราสามารถช่วยคุณรับทั้งหมดสำหรับ bom ของ PCB ได้ กล่าวโดยสรุป คุณสามารถรับโซลูชันแบบครบวงจรได้ที่นี่


ข้อเสนอรวมถึง:
วงจรรวม, IC หน่วยความจำ, ไดโอด, ทรานซิสเตอร์, ตัวเก็บประจุ, ตัวต้านทาน, วาริสเตอร์, ฟิวส์, ทริมเมอร์และโพเทนชิโอมิเตอร์, หม้อแปลง, แบตเตอรี่, สายเคเบิล, รีเลย์, สวิตช์, ขั้วต่อ, บล็อกขั้วต่อ, คริสตัลและออสซิลเลเตอร์, ตัวเหนี่ยวนำ, เซ็นเซอร์, หม้อแปลง, ไดรเวอร์ IGBT, LED, LCD, คอนเวอร์เตอร์, PCB (แผงวงจรพิมพ์), PCBA (ชุด PCB)

แข็งแกร่งในแบรนด์:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ฯลฯ